Как работают МОП-транзисторы - Разгадайте тайны работы МОП-транзисторов!

YOUTUBE · 22.11.2025 05:00

Ключевые темы и таймкоды

Введение в МОП-транзисторы

0:00
  • МОП-транзисторы содержат крошечный кусочек полупроводника.
  • Они важны и распространены в электронике.
  • На инженерных чертежах обозначаются специальными символами.

Структура и принцип работы

0:21
  • МОП-транзисторы имеют три контактных разъёма: затвор, сток и источник.
  • Принцип работы сравнивается с потоком воды через трубу, перекрытый диском.
  • Давление на затвор управляет потоком тока через сток и источник.

Применение в схемах

1:17
  • МОП-транзисторы позволяют автоматически включать и выключать лампы.
  • Можно управлять реле и двигателями постоянного тока.
  • Для охлаждения используются радиаторы.

Преимущества перед BJТ-транзисторами

3:08
  • BJТ-транзисторы требуют подачи тока на базу, что приводит к потерям энергии.
  • МОП-транзисторы более эффективны и просты в проектировании.
  • Выдерживают больший ток и используются в различных применениях.

Практический пример схемы

3:49
  • Демонстрация работы схемы с лампой и МОП-транзистором.
  • Объяснение работы затвора как конденсатора.
  • Необходимость резистора для ограничения пускового тока.

Использование потенциометра

5:51
  • Подключение потенциометра для регулировки яркости лампы.
  • Изменение напряжения на затворе влияет на сопротивление канала.

Типы МОП-транзисторов

6:51
  • Два основных типа: усиливающий и истощающий.
  • Символы на чертежах указывают на тип транзистора.
  • Различие между N-канальными и P-канальными версиями.

Принцип работы N-канальных и P-канальных транзисторов

8:12
  • Для N-канальных транзисторов положительное напряжение на затворе уменьшает сопротивление.
  • Для P-канальных транзисторов отрицательное напряжение на затворе уменьшает сопротивление.
  • Объяснение понятия отрицательного напряжения.

Внутреннее устройство МОП-транзистора

9:35
  • Внутри находится полупроводниковый материал, обычно кремний.
  • Легирование кремния фосфором создаёт N-тип, а бором — P-тип.
  • Ковалентная связь между атомами кремния.

Легирование кремния

10:16
  • Атомы кремния делятся электронами для стабилизации валентной оболочки.
  • Добавление фосфора создаёт N-тип, а бора — P-тип.
  • Электроны в N-типе могут свободно перемещаться.

Основы p-n-перехода

11:04
  • В материале p-типа дырки считаются положительно заряженными, а электроны — отрицательно заряженными.
  • При соединении материалов n-типа и p-типа образуется p-n-переход, создающий область истощения.
  • Электрическое поле препятствует перемещению электронов и дырок.

Конструкция n-канального МОП-транзистора

11:46
  • Подложка из кремния p-типа с двумя сегментами n-типа.
  • Вывод стока соединяется с одним из сегментов n-типа, вывод источника — с другим.
  • Диоксид кремния изолирует вывод затвора от полупроводника.

Принцип работы МОП-транзистора

12:47
  • Напряжение на выводе затвора создаёт электрическое поле, воздействующее на материал транзистора.
  • Область разряда перекрывает путь току при подаче напряжения от стока к источнику.
  • Увеличение напряжения на затворе расширяет область разряда.

Формирование канала в n-канальном МОП-транзисторе

13:41
  • При положительном напряжении на затворе электроны притягиваются к слою p-типа.
  • Создаётся канал из отрицательно заряженных электронов.
  • Снятие напряжения на затворе разрывает канал.

Пороговое напряжение и омическая область

15:11
  • Пороговое напряжение — это напряжение, при котором канал формируется полностью.
  • Увеличение напряжения на затворе расширяет канал.
  • Омическая область — линейное увеличение тока при увеличении напряжения на стоке и источнике.

Особенности p-канального МОП-транзистора

16:34
  • Базовый слой из материала n-типа с сильно легированными слоями p-типа.
  • Отрицательное напряжение на затворе отталкивает электроны и притягивает дырки, формируя канал.
  • Положительное напряжение на затворе уменьшает канал и блокирует ток.

Применение p-канального МОП-транзистора для отключения цепи

17:26
  • Положительное напряжение на затворе выталкивает дырки из канала p-типа.
  • Электроны с подложки притягиваются к клемме затвора, уменьшая размер канала.
  • Увеличение напряжения на затворе блокирует ток между клеммами истока и стока.

Заключение и реклама

18:36
  • Реклама курсов от Brilliant для изучения принципов проектирования схем на МОП-транзисторах.
  • Упоминание о 30-дневной бесплатной пробной версии и скидке для первых 500 человек.