Понимание МОП-транзисторов из нитрида галлия | GaN-МОП-транзисторов | SiC-МОП-транзисторов против Si-МОП-транзисторов против GaN-МОП-транзисторов

YOUTUBE · 26.11.2025 05:20

Ключевые темы и таймкоды

Введение в МОП-транзисторы

0:06

Видео рассказывает о технологии МОП-транзисторов, которые являются предшественниками современных ламп накаливания.
В 1879 году была изобретена первая электрическая лампочка, и с тех пор технология развивалась.

Сравнение МОП-транзисторов

1:18

Видео сравнивает три типа МОП-транзисторов: на основе кремния, карбида кремния и нитрида галлия.
Каждый тип имеет свои преимущества и недостатки, и выбор зависит от конкретных требований и условий работы.

Оценка МОП-транзисторов

5:05

Видео сравнивает различные параметры МОП-транзисторов, такие как ток стока, пиковый ток стока, ток утечки, напряжение между затвором и источником, входная емкость и заряд затвора.
МОП-транзистор на нитриде галлия имеет наименьшее сопротивление между стоком и источником и наименьшие потери проводимости.

Заключение

12:08

Видео подводит итоги сравнения и оценки трех типов МОП-транзисторов, подчеркивая преимущества и недостатки каждого из них.
Выбор МОП-транзистора зависит от конкретных требований и условий работы, а также от стоимости и доступности.

Время обратного восстановления

12:56

МОП-транзисторы пропускают ток свободного хода при выключении из-за обратного напряжения в катушке индуктивности.
Время обратного восстановления - это промежуток времени, в течение которого протекает обратный ток через диод.
Чем меньше время обратного восстановления, тем быстрее переключается МОП-транзистор и меньше утечка тока.

Сравнение технологий

13:29

Кремниевые МОП-транзисторы имеют время обратного восстановления 106 наносекунд, карбид-кремниевые - 68 нс, нитрид-галлиевые - 59 нс.
Технология нитрида галлия превосходит кремний и карбид-кремний по многим параметрам, включая электропроводность, рабочий диапазон и срок службы.
Однако массовое производство и цены на МОП-транзисторы на нитриде галлия все еще ограничены.