КАК ПРОВЕРИТЬ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР и ЗАЧЕМ В НЕМ ДИОД

YOUTUBE · 23.11.2025 06:08

Ключевые темы и таймкоды

Введение и характеристики транзисторов

0:00

Рассматриваются четыре мощных полевых транзистора, каждый из которых выдерживает ток 75 ампер на радиаторе.
Транзисторы могут рассеивать мощность 107 ватт.
Это полевые транзисторы с изолированным затвором, часто называемые MOSFET.

Проверка паразитного диода

0:59

Проверяется функциональность паразитного защитного диода.
В режиме диодной прозвонки тестера проверяется проводимость диода в обе стороны.
Если диод исправен, проводимость будет в обе стороны.

Проверка затвора

1:54

Проверяется затвор транзистора на наличие пробоя.
На затвор подаётся положительный потенциал для проверки проводимости.
При отсутствии заряда на затворе проводимость отсутствует.

Сопротивление открытого транзистора

2:47

Сопротивление открытого транзистора составляет 6 МОм.
Для снятия заряда затвора достаточно замкнуть его между ножками.

Повторная проверка транзистора

3:42

Повторно проверяется технологический диод.
При подаче положительного напряжения на затвор и касании ножек наблюдается короткое замыкание.
Диодный эффект исчезает, паразитный диод больше не работает.

Теория полевых транзисторов

4:42

Полевые транзисторы состоят из канала, который проводит или не проводит ток.
Первые полевые транзисторы имели неизолированный затвор и управлялись с помощью PN-перехода.
Современные транзисторы имеют изолированный затвор.

Типы транзисторов с изолированным затвором

5:42

Рассматриваются N-канальные транзисторы.
Для проведения тока на изолированный затвор подаётся заряд.
Транзисторы делятся на МОП и МДП по типу изоляции.

Индуцированный канал

7:24

Объясняется разница между обычным и индуцированным каналом.
Обычный канал имеет проводимость при определённом заряде на затворе.
Индуцированный канал не проводит ток при отсутствии заряда или одинаковых потенциалах затвора и истока.

Введение в тему транзисторов

8:19

Обсуждение отсутствия готового полупроводника и проводника в канале.
Объяснение образования структуры, похожей на транзистор.
Упоминание о встроенных диодах в биполярных транзисторах.

Роль диодов в транзисторах с индуцированным каналом

9:11

Объяснение образования паразитного биполярного транзистора между стоком, затвором и истоком.
Описание влияния паразитного транзистора на работу полевого транзистора.
Метод устранения паразитного транзистора путём замыкания выводов.

Принцип работы диода после замыкания

10:11

Объяснение появления диода после замыкания транзистора.
Сравнение транзистора с двумя диодами.
Недостаток малоскоростного диода для высокочастотных схем.

Дополнительные диоды в полевых транзисторах

11:06

Добавление пороговых диодов, диодов Зенера и других в структуру полевого транзистора.
Обозначение дополнительных диодов в даташитах.
Преимущества использования низкоомных и низковольтных диодов для высокочастотных схем.

Технологическое исполнение дополнительных диодов

12:07

Изготовление дополнительных диодов на той же полупроводниковой подложке, что и индуцированный канал.
Важность правильного обозначения компонентов в даташитах.

Заключение

14:05

Призыв к изучению даташитов на английском языке.
Необходимость правильного обозначения конденсатора и резистора в схеме полевого транзистора.
Завершение лекции с извинениями за её длину.